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Si4388DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
I D = 8 A
0.0 8
150 °C
10
0.06
1.0
0.1
25 °C
0.04
0.02
0.00
125 °C
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
30 V
24 V
160
120
8 0
40
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Reverse Current (Schottky)
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
10 μ s
1
100 μ s
1 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
dc
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 74344
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
9
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